在實(shí)際測量時(shí),通常采用He-Ne激光作為光源,波長λ=632.8 nin.磁光介質(zhì)樣品安放在電磁鐵建立的磁場之中,磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度為4 000 Gs左右.在此條件下,通過偏振分析器可順利地分析出磁光克爾轉(zhuǎn)角θk的大小,如果測量時(shí)光信號(hào)十分微弱,采用鎖相放大器可大大提高測量的精﹡度。
磁光介質(zhì)材料極其θk的大小
隨著磁光信息存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展,目前已經(jīng)開發(fā)出多種磁光介質(zhì)材料.在這些材料中比較優(yōu)﹡的有:非晶態(tài)稀土一過渡金屬合金材料(例如Fe-co)、非晶態(tài)錳鉍鋁硅(MnBiA1Si)合金材料和非晶態(tài)錳鉍稀土(MnBiRE)合金材料等。這些材料通常是采用真空蒸鍍、磁控濺射等方法將合金材料沉積于玻璃基底上,磁光薄膜的厚度一般在幾百納米左右。為了提高材料的磁光性能,采取多層膜技術(shù)十分有效.磁光克爾轉(zhuǎn)角一般并不大,以鋱鐵鈷(1bFeco)合金薄膜材料為例,在室溫下其磁光克爾轉(zhuǎn)角僅為0.3L右。MnBiA1Si的磁光克爾轉(zhuǎn)角可達(dá)2.04。如果僅考慮磁光克爾轉(zhuǎn)角的大小,采用簡單工藝制備的MnBi合金薄膜的磁光克爾轉(zhuǎn)角達(dá)到1.6。左右并不困難.當(dāng)然,在實(shí)際制造磁光盤時(shí),除了考慮磁光克爾轉(zhuǎn)角這一性能外,還需要綜合考慮其他性能.目前市場上做成磁光盤產(chǎn)品的磁光介質(zhì)以鋱鐵鈷(1bFeco)合金薄膜材料為主。
物質(zhì)
科爾轉(zhuǎn)角(度)
Fe
0.87
Co
0.85
Ni
0.19
Gd
0.16
Fe3O4
0.32
MnBi
0.7
PtMnSb
2.0
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